کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971653 | 1450524 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Extraction of dynamic avalanche during IGBT turn off
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
When IGBTs are switched with high dV/dt at high currents, dynamic avalanche occurs. Under certain conditions, this phenomenon is known to potentially degrade certain IGBT architectures. An investigation of the possible degradation of our planar IGBTs was started. This paper presents a method to extract the current (and consequently charge and energy) due to dynamic avalanche from measured turn off waveforms. The method is checked with TCAD simulations and applied to an accelerated stress test on two different device designs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 495-499
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 495-499
نویسندگان
Silvan Geissmann, L. De Michielis, Ch. Corvasce, M. Rahimo, M. Andenna,