کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971803 | 1450536 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of resistive paths on NVM array reliability: Application to Flash & ReRAM memories
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
For the technologies considered in this paper, on the one hand we demonstrate a maximal threshold voltage drop of 2Â V for a 4Â Gbit Flash array and we provide design recommendations, and on the other hand we demonstrate that a maximal word length of 32Â bits for ReRAM can be achievable in a ReRAM matrix. The presented methodology can easily be extended to any memory technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 64, September 2016, Pages 36-41
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 64, September 2016, Pages 36-41
نویسندگان
P. Canet, J. Postel-Pellerin, H. Aziza,