کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4971803 1450536 2016 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of resistive paths on NVM array reliability: Application to Flash & ReRAM memories
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Impact of resistive paths on NVM array reliability: Application to Flash & ReRAM memories
چکیده انگلیسی
For the technologies considered in this paper, on the one hand we demonstrate a maximal threshold voltage drop of 2 V for a 4 Gbit Flash array and we provide design recommendations, and on the other hand we demonstrate that a maximal word length of 32 bits for ReRAM can be achievable in a ReRAM matrix. The presented methodology can easily be extended to any memory technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 64, September 2016, Pages 36-41
نویسندگان
, , ,