کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971821 | 1450536 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The radiation test based assessment of process quality and reliability for conventional 65-nm CMOS technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Using the radiation test procedure as a one of technology stage, the assessment of total ionizing dose (TID) hardness was done for test structures, which were fabricated in conventional 65Â nm CMOS technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 64, September 2016, Pages 130-133
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 64, September 2016, Pages 130-133
نویسندگان
L.N. Kessarinskiy, G.G. Davydov, D.V. Boychenko, A.S. Artamonov, A.Y. Nikiforov, I.B. Yashanin,