کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971826 | 1450536 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Performance vs. reliability adaptive body bias scheme in 28Â nm & 14Â nm UTBB FDSOI nodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper shows the advantages of using body bias. Experiments are performed in 14Â nm and 28Â nm UTBB FDSOI transistors and ring oscillators (ROs). The impact of body bias on performance and reliability is highlighted. The body biasing offers significant advantages for adapting the tradeoff between reliability and performance in logic circuits without changing the design margins. With FDSOI technology, we have an additional degree of freedom of process variability compensation by using body bias voltage (Adaptive Body Bias, ABB) next to supply voltage compensation used before. We show that ABB compensation technique presents better results for a complete power optimization.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 64, September 2016, Pages 158-162
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 64, September 2016, Pages 158-162
نویسندگان
C. Ndiaye, V. Huard, X. Federspiel, F. Cacho, A. Bravaix,