کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4971893 1450536 2016 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lifetime and manufacturability of integrated power electronics
ترجمه فارسی عنوان
طول عمر و قابلیت ساخت الکترونیک قدرت یکپارچه
کلمات کلیدی
PCB تعبیه‌شده، الکترونیک قدرت، تف‌جوشی، مس گالوانیک، ترموگرافی قفل‌شده، خنک‌کننده‌ی دوطرفه، چرخه‌ی قدرت، رشته‌ی آندی رسانا، SiC
فهرست مطالب مقاله
چکیده

کلمات کلیدی

1- انگیزه

2- مقدمه 

3- ترکیب

4- بهینه‌سازی فرآیند تف‌خوشی حفره

5- بهینه‌سازی لایه‌ی مس تراشه

6- کاهش مقاومت حرارتی

7- نتایج چرخه‌ی برق

8- نتایج آزمایش رشته‌ی آندی رسانا

9- نمایشگر SiC MOSFET

10- خلاصه

11- چشم‌انداز

 
ترجمه چکیده
داده‌های بازار مربوط به خودروهای برقی باتری، گرادیان تصاعدی مرسومی از آمار فروش را نشان می‌دهند، که حاصل از سایر تحولات فناوری هستند. ظرفیت نصب‌شده‌ی فتوولتائیک و بادی در سراسر جهان نیز گرادیان تصاعدی را نشان می‌دهند. حتی چگالی توان الکترونیک قدرت نیز به طور تصاعدی در حال افزایش است. الکترونیک قدرت پیش‌نیازی برای ایجاد رشد تصاعدی چگالی توان است. الزامات فناوری‌های بسته‌بندی الکترونیک قدرت شامل عملکرد الکتریکی، عملکرد حرارتی و طراحی قوی هستند. به دلیل نبود سیم‌های اتصال، خازن‌های SMD را می‌توان نزدیک به نیمه‌رسانا نصب کرد، که این امر منجر می‌شود القای انگلی حداقل شود. از منظر حرارتی، فناوری بسته‌بندی از انتشار گرما درون قاب سرب مس و لایه‌های نازک دی‌الکتریک سود می‌برد. مقاومت حرارتی برابر با k/W 0.5 دارد، و قابلیت کاهش بیش‌تر مقاومت حرارتی با استفاده از مواد دی‌الکتریک جایگزین را نشان می‌دهد. مقاومت حرارتی با ساخت خنک‌کننده‌ی تراشه دو طرفه، می‌تواند تا حداقل K/W 0.42 کاهش یابد. می‌توان با ترکیبی از متالیزاسیون (فلزپوشانی) مس تراشه متصل به میکروویاهای مس متصل به لایه‌ی مس فوقانی، که به معنای عدم تفاوت در ضرایب انبساط حرارتی است، طراحی قوی ارائه داد. در سمت پایین، لایه‌ی تف‌جوش نقره‌ اتصال مطمئنی بین تراشه و سرب ایجاد می‌کند. در این مقاله بهینه‌سازی فرآیند تولید، امکانات بهینه‌سازی حرارتی، اندازه‌گیری طول عمر چرخه‌ی قدرت و اولین اندازه‌گیری طول عمر رشته‌ی آندی رسانا در 1000 ولت DC توضیح داده شده است. چشم‌اندازی بر نمایشگر 120 A 700 V SiC MOSFET یکپارچه نیز ارائه شده است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش مقاله
طول عمر و قابلیت ساخت الکترونیک قدرت یکپارچه
چکیده انگلیسی
This paper describes production process optimizations, thermal optimization possibilities, power cycling lifetime measurements and first conductive anodic filament lifetime measurements at 1000 V DC. The outlook onto an integrated 120 A 700 V SiC MOSFET demonstrator is given.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 64, September 2016, Pages 513-518
نویسندگان
, , ,