کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971894 | 1450536 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improving the short circuit ruggedness of IGBTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Improving the short circuit ruggedness of IGBTs Improving the short circuit ruggedness of IGBTs](/preview/png/4971894.png)
چکیده انگلیسی
The demands on reliable and fault tolerant power electronic devices are increasing. One opportunity to increase the IGBT short circuit ruggedness is to modify the thermal capacitance and the thermal resistance close to the chip and hence extend the possible short circuit duration. Therefore simulations with different metallization, bond wire and chip interconnect materials are compared to identify the most promising solution for enhancing short circuit capability of IGBTs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 64, September 2016, Pages 519-523
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 64, September 2016, Pages 519-523
نویسندگان
Lukas Tinschert, Magnar Hernes, Josef Lutz,