کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5007215 | 1461603 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Size effect caused significant reduction of thermal conductivity of GaAs/AlAs distributed Bragg reflector used in semiconductor disk laser
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Thermal properties of the distributed Bragg reflector (DBR) used in the semiconductor gain element are crucial for the performance of a semiconductor disk laser (SDL). For the purpose of more reasonable semiconductor wafer design, so as to improve the thermal management of SDLs, accurate thermal conductivity value of a DBR is under considerable requirement. By the use of equilibrium molecular dynamics method, thermal conductivities of GaAs/AlAs DBRs, which are widely employed in 1 μm waveband SDLs, are calculated, and simulated results are compared with the reported experimental data. Influences of the layer thickness on the thermal conductivities of the DBR structure and the effects of Al composition on the AlxGa1âxAs ternary alloy values are focused and analyzed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 96, 1 November 2017, Pages 259-264
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 96, 1 November 2017, Pages 259-264
نویسندگان
Peng Zhang, Renjiang Zhu, Maohua Jiang, Yanrong Song, Dingke Zhang, Yuting Cui,