کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5025079 | 1470578 | 2017 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Non uniform distribution of indium in the InxGa1âxN/GaN quantum well is more advantageous for quantum well light emitting diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Results show that the QW with uniform In distribution is not the best for InxGa1-xN/GaN QW LEDs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 149, November 2017, Pages 22-27
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 149, November 2017, Pages 22-27
نویسندگان
Anup Gorai, Apu Mistry, Dipankar Biswas,