کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5025079 1470578 2017 11 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Non uniform distribution of indium in the InxGa1−xN/GaN quantum well is more advantageous for quantum well light emitting diodes
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Non uniform distribution of indium in the InxGa1−xN/GaN quantum well is more advantageous for quantum well light emitting diodes
چکیده انگلیسی
Results show that the QW with uniform In distribution is not the best for InxGa1-xN/GaN QW LEDs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 149, November 2017, Pages 22-27
نویسندگان
, , ,