کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5025523 | 1470587 | 2017 | 35 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effect of Al and In concentrations on the properties of electrodeposited Cu(In,Al)Se2 using two electrode system without the addition of complexing agents
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The band gap energy of the films was controlled from 1.17 to 1.65 eV by adjusting the Al and In concentrations in the precursor solutions. The Raman analysis revealed that all the films mainly consist of a chalcopyrite structure and the film deposited at x = 0.25 contain the ternary compounds CuAlSe2 as secondary phase. This last film showed n-type conduction while the rest of the films showed p-type conduction. The electrical resistivity is in the range of 0.06-1.9 Ω cm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 140, July 2017, Pages 709-717
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 140, July 2017, Pages 709-717
نویسندگان
O. Meglali, A. Bouraiou, N. Attaf, M.S. Aida,