کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5025567 | 1470588 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single oscillator model of undoped and co-doped ZnO thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Single oscillator model of undoped and co-doped ZnO thin films Single oscillator model of undoped and co-doped ZnO thin films](/preview/png/5025567.png)
چکیده انگلیسی
Undoped and co-doped zinc oxide thin films were deposited on glass substrates using a chemical spray technique. The experimental Lorentz profiles of co-doped ZnO thin films were measured in the spectral region 720-1750 nm. A single oscillator model of the resulted materials is constructed by calculation of: zero-frequency refractive index (no), average interband oscillator wavelength (λo), oscillator strength (So), dispersion energy (Ed), single-effective oscillator energy (Eo), plasma oscillation frequency (Ïp) and interband transition strength moments (Mâ1, Mâ3).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 139, June 2017, Pages 217-221
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 139, June 2017, Pages 217-221
نویسندگان
P. Petkova, L. Nedelchev, D. Nazarova, K. Boubaker, R. Mimouni, P. Vasilev, G. Alexieva, D. Bachvarova,