کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5025808 | 1470592 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling and simulation of ZnxCd1-xTe/ZnTe quantum well structure for laser applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, we modeled and simulated aZnxCd1-xTe/ZnTe based single quantum well structure. We have taken into account the effect of carrier density, alloy composition, temperature and wells width on the optical gain as well as threshold current density. The use of ZnTe as a barrier leads to the improvement of the carrier confinement such as Qc (83%)/Qv (17%). Then, we have optimized the quantum well structure that allows obtaining a threshold current density Jth = 500 A/cm2. This study allowed us to achieve laser diodes VCSEL quantum well reliable and emitting around 0.740 μm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 135, April 2017, Pages 153-159
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 135, April 2017, Pages 153-159
نویسندگان
S. Dehimi, L. Dehimi, T. Asar, B. Mebarki, S. Ãzçelik,