کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5025812 1470592 2017 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Closed-form solutions for 2-D axisymmetric modeling of thermal-stress in solid material induced by an annular long pulsed laser irradiation
ترجمه فارسی عنوان
راه حل های فرم بست برای مدل سازی دو بعدی دو بعدی تنش حرارتی در مواد جامد القا شده توسط تابش پرتو لیزر طولی حلقوی
کلمات کلیدی
استرس حرارتی، لیزر زاویه ای لیزر طولانی پالس، شکل بسته
ترجمه چکیده
در این مقاله، مدلسازی دوسویه متقارن تنش حرارتی مواد جامد که توسط یک لیزر پالس طولانی حلقوی ساخته شده است، با استفاده از راه حل های فرم بسته ارائه شده است. مدل فیزیکی پرتو لیزر پالس طولانی حلقوی ایجاد شده و راه حلهای تنش حرارتی بسته شده با استفاده از روش تحلیلی بر اساس تئوری ترموالاستفاده به دست آمده است. استرس حرارتی مواد سیلیکونی ناشی از لیزر پالس طولی حلقوی شبیه سازی شده است. نتایج نشان می دهد که هنگامی که ماده سیلیکون توسط یک لیزر پالس طولانی حلقوی تابش می شود، تنش حرارتی روی سطح ماده بزرگتر است و با افزایش عمق، تنش حرارتی به تدریج کاهش می یابد. در سطح سیلیکون، زمانی که شعاع داخلی لیزر حلقوی ثابت می شود، بیشتر شعاع بیرونی، منطقه بزرگتر از استرس حرارتی بالاتر اشغال می کند. وقتی که عرض بین شعاع درونی و شعاع بیرونی لیزر حلقوی ثابت می شود، برای مولفه شعاعی تنش حرارتی، محل مرکز مرکز کوچکتر، بیشترین مقدار استرس است؛ برای قطعات حلقوی و محوری، تفاوت حداکثر استرس برای محل مرکز مختلف تابش آشکار نیست. با افزایش عرض پالس لیزر پالس طولانی حلقوی، حداکثر مقدار تنش حرارتی نیز به تدریج افزایش می یابد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی (عمومی)
چکیده انگلیسی
In this paper, 2-D axisymmetric modeling of thermal-stress of solid material induced by an annular long pulsed laser was presented using closed-form solutions. Physical model of annular long pulsed laser irradiation was established and closed-form solutions of thermal-stress were obtained by analytical method based on thermo-elasticity theory. Thermal-stress of silicon material induced by an annular long pulsed laser was simulated. Results show that, when the silicon material is irradiated by an annular long pulsed laser, the thermal-stress on the surface of the material is the largest, and with the increase of the depth, the thermal-stress is gradually reduced. On the silicon surface, when the inside radius of the annular laser is fixed, the greater the outside radius, the larger region of the higher thermal-stress occupies. When the width between inside radius and outside radius of the annular laser is fixed, for the radial component of the thermal-stress, the smaller the irradiation center location, the greater the maximum value of stress; for the hoop and axial components, the difference of the maximum stress for different irradiation center location is not obvious. With the increase of the pulse width of annular long pulsed laser, the maximum value of the thermal-stress is also gradually increased.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 135, April 2017, Pages 180-189
نویسندگان
, ,