کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5026140 1470598 2017 19 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analytical solution and analysis of transient temperature of silicon irradiated by repetitive laser pulse
ترجمه فارسی عنوان
راه حل تحلیلی و تجزیه و تحلیل دمای گذرای سیلیکون تابش شده توسط پالس لیزر تکراری
کلمات کلیدی
پالس لیزر تکراری، درجه حرارت، راه حل تحلیلی، سیلیکون،
ترجمه چکیده
در این مقاله، مدل فیزیکی دمای سیلیکون تابش شده توسط پالس لیزر تکراری بر اساس نظریه هدایت گرمادی فوریه کلاسیک و راه حل تحلیلی دما با استفاده از روش تبدیل لاپلاس به دست آمده است. درجه حرارت برای چرخه های مختلف کار، تعداد پالس های مختلف و محل های مختلف درون مواد شبیه سازی و تجزیه و تحلیل می شود. اثرات چرخه کار، تعداد پالس و محل قرارگیری داخل ماده در دمای مورد بررسی قرار می گیرد. نتایج این مقاله می تواند برخی از راهنمایی هایی را برای آزمایش و بررسی مکانیزم تعامل بین پالس لیزر تکراری و مواد جامد ارائه دهد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی (عمومی)
پیش نمایش مقاله
راه حل تحلیلی و تجزیه و تحلیل دمای گذرای سیلیکون تابش شده توسط پالس لیزر تکراری
چکیده انگلیسی
In this paper, the physical model of the temperature of silicon irradiated by repetitive laser pulse is established based on classical Fourier heat conduction theory, and the analytical solution of temperature are obtained by using Laplace transformation method. The temperature for different duty cycle, different pulse number and different location inside the material are simulated and analyzed. Effects of duty cycle, pulse number and location inside the material on the temperature are investigated. The results of this paper can provide some guidance for experiments and mechanism study of the interaction between repetitive laser pulse and solid material.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 129, January 2017, Pages 69-77
نویسندگان
, , ,