کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5026230 | 1470593 | 2017 | 25 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of N impurity on the electronic structure and absorption spectrum of Ba2SiO4:Eu2+ phosphor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The influence of N impurity on the electronic properties and absorption spectra of Ba2SiO4:Eu2+ is studied. It is found that N atoms doping provide many states near the Femi level, which results in narrow band gap and interband transition originating from N2p to the Eu4f. Eu2+ ions experience a strong nephelauxetic effect and crystal field because of the coordinating of N atoms and short coordination distance around the activated centers, which leads to Eu4f and5d states splitting. Therefore, the red-shift of the absorption spectrum in the wavelength of 220-470Â nm occurs for the N-doped Ba2SiO4:Eu2+ phosphors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 134, April 2017, Pages 78-87
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 134, April 2017, Pages 78-87
نویسندگان
Haitao Chen, Xuefei Huang, Weigang Huang, Wanqing Wang,