کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5026391 | 1369865 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Activation energy study of phosphorus-doped microcrystalline silicon thin films
ترجمه فارسی عنوان
مطالعه انرژی فعال سازی فیلم های نازک سیلیکون میکرو کریستالی فسفر
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
چکیده انگلیسی
The phosphorus-doped microcrystalline silicon thin films were deposited by PECVD (Plasma-enhanced chemical vapor deposition), the activation energy of thin films were measured by activation energy testing equipment. The activation energy of samples with different doping concentration and different depositing temperature were studied. The results showed that: the activation energy of phosphorus-doped microcrystalline silicon thin films lesser than intrinsic films. The unit of activation energy is meV. Crystalline volume fractions have little influence on activation energy when thin films have a good crystalline volume fraction, impurity effect plays an important role on the conductivity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - Volume 127, Issue 22, November 2016, Pages 10437-10441
Journal: Optik - Volume 127, Issue 22, November 2016, Pages 10437-10441
نویسندگان
Qingdong Chen, Junping Wang, Yuxiang Zhang,