کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5144173 | 1496814 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature, solution-processed ambipolar field-effect transistors based on polymer/self-assembled monolayer modified InOx hybrid structures for balanced hole and electron mobilities exceeding 1Â cm2Â Vâ1Â sâ1
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Low temperature, solution-processed ambipolar field-effect transistors based on polymer/self-assembled monolayer modified InOx hybrid structures for balanced hole and electron mobilities exceeding 1Â cm2Â Vâ1Â sâ1 Low temperature, solution-processed ambipolar field-effect transistors based on polymer/self-assembled monolayer modified InOx hybrid structures for balanced hole and electron mobilities exceeding 1Â cm2Â Vâ1Â sâ1](/preview/png/5144173.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 43, April 2017, Pages 162-166
Journal: Organic Electronics - Volume 43, April 2017, Pages 162-166
نویسندگان
Sheng Sun, Yuzhi Li, Linfeng Lan, Peng Xiao, Zhenhui Chen, Zhenguo Lin, Junwu Chen, Junbiao Peng, Yong Cao,