کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5144314 | 1496818 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ion-gel gated field-effect transistors with solution-processed oxide semiconductors for bioinspired artificial synapses
ترجمه فارسی عنوان
ترانزیستورهای میدان مغناطیسی یونی ژل با نیمه هادی های اکسید شده با محلول برای سیناپس های مصنوعی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ایون ژل، اسیدهای سدیم-رویی آمورف، ترانزیستورهای میدان اثر، سیناپس مصنوعی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 39, December 2016, Pages 64-70
Journal: Organic Electronics - Volume 39, December 2016, Pages 64-70
نویسندگان
Ling-an Kong, Jia Sun, Chuan Qian, Guangyang Gou, Yinke He, Junliang Yang, Yongli Gao,