کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5144314 1496818 2016 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ion-gel gated field-effect transistors with solution-processed oxide semiconductors for bioinspired artificial synapses
ترجمه فارسی عنوان
ترانزیستورهای میدان مغناطیسی یونی ژل با نیمه هادی های اکسید شده با محلول برای سیناپس های مصنوعی
کلمات کلیدی
ایون ژل، اسیدهای سدیم-رویی آمورف، ترانزیستورهای میدان اثر، سیناپس مصنوعی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی (عمومی)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 39, December 2016, Pages 64-70
نویسندگان
, , , , , , ,