کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
5346763 1388011 2018 13 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation of p-type GaN-doped SnO2 thin films by e-beam evaporation and their applications in p-n junction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Preparation of p-type GaN-doped SnO2 thin films by e-beam evaporation and their applications in p-n junction
چکیده انگلیسی
Various transparent GaN-doped SnO2 thin films were deposited on glass substrates by e-beam evaporation using GaN:SnO2 targets of different GaN weight ratios. It is interesting to find that carrier polarity of the thin films was converted from n-type to p-type with increasing GaN ratio higher than 15 wt.%. The n-p transition in GaN-doped SnO2 thin films was explained for the formation of GaSn and NO with increasing GaN doping level in the films, which was identified by Hall measurement and XPS analysis. A transparent thin film p-n junction was successfully fabricated by depositing p-type GaN:SnO2 thin film on SnO2 thin film, and a low leakage current (6.2 × 10−5 A at −4 V) and a low turn-on voltage of 1.69 V were obtained for the p-n junction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 427, Part A, 1 January 2018, Pages 64-68
نویسندگان
, , , , , , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت