کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5348048 | 1503602 | 2016 | 26 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Wafer-scale, conformal and direct growth of MoS2 thin films by atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Wafer-scale, conformal and direct growth of MoS2 thin films by atomic layer deposition Wafer-scale, conformal and direct growth of MoS2 thin films by atomic layer deposition](/preview/png/5348048.png)
چکیده انگلیسی
- The formation of pure and stoichiometric MoS2 thin film by atomic layer deposition (ALD).
- ALD of MoS2 using Mo(CO)6 and H2S plasma.
- Large-area (4Â in. in diameter) and direct growth of MoS2 thin films and nanosheets by ALD.
- Remarkable step coverage at 100Â nm trench.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 365, 1 March 2016, Pages 160-165
Journal: Applied Surface Science - Volume 365, 1 March 2016, Pages 160-165
نویسندگان
Yujin Jang, Seungmin Yeo, Han-Bo-Ram Lee, Hyungjun Kim, Soo-Hyun Kim,