کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5348439 | 1388079 | 2015 | 30 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hot-wire chemical vapor deposition of nanocrystalline silicon for ambipolar thin-film transistor applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Ambipolar thin-film transistors with hot-wire chemical vapor deposition prepared nanocrystalline silicon channel were reported in this article. Raman spectroscopy and Hall measurement were used to analysis the material properties of nanocrystalline silicon that prepared under different hydrogen flow ratios. The device quality including threshold voltage, subthreshold slope, on-off current ratio, and effective mobility in both n- and p-channels were also discussed. Finally, the best device showed a maximum effective mobility of 23.1Â cm2/VÂ s in n-channel and a maximum effective mobility of 6.75Â cm2/VÂ s in p-channel.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 354, Part A, 1 November 2015, Pages 216-220
Journal: Applied Surface Science - Volume 354, Part A, 1 November 2015, Pages 216-220
نویسندگان
Bing-Rui Wu, Tsung-Hsien Tsai, Dong-Sing Wuu,