کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5348946 | 1503609 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Full ALD Ta2O5-based stacks for resistive random access memory grown with in vacuo XPS monitoring
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Full ALD Ta2O5-based stacks for resistive random access memory grown with in vacuo XPS monitoring Full ALD Ta2O5-based stacks for resistive random access memory grown with in vacuo XPS monitoring](/preview/png/5348946.png)
چکیده انگلیسی
- Full ALD Ta2O5-based ReRAM stacks was grown.
- At top Ta2O5/TiN interface TaOxNy layer is observed.
- A thin Al2O3 layer blocks TaOxNy formation at top Ta2O5/TiN interface.
- Stack with additional Al2O3 layer demonstrated fast and abrupt switching.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 356, 30 November 2015, Pages 454-459
Journal: Applied Surface Science - Volume 356, 30 November 2015, Pages 454-459
نویسندگان
K.V. Egorov, Yu.Yu. Lebedinskii, A.M. Markeev, O.M. Orlov,