کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5349105 | 1388095 | 2015 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structure dependent resistivity and dielectric characteristics of tantalum oxynitride thin films produced by magnetron sputtering
ترجمه فارسی عنوان
مقاومت در برابر ساختار و خصوصیات دی الکتریک از فیلم های نازک تانتالیوم اکسین نیترید تولید شده توسط اسپکترومغناطیسی مگنترون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
تانتالیم اکسین نیترید، خواص الکتریکی، ثابت دی الکتریک،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
The main purpose of this work is to present and to interpret the change of electrical properties of TaxNyOz thin films, produced by DC reactive magnetron sputtering. Some parameters were varied during deposition: the flow of the reactive gases mixture (N2 and O2, with a constant concentration ratio of 17:3); the substrate voltage bias (grounded, â50Â V or â100Â V) and the substrate (glass, (1Â 0Â 0) Si or high speed steel). The obtained films exhibit significant differences. The variation of the deposition parameters induces variations of the composition, microstructure and morphology. These differences cause variation of the electrical resistivity essentially correlated with the composition and structural changes. The gradual decrease of the Ta concentration in the films induces amorphization and causes a raise of the resistivity. The dielectric characteristics of some of the high resistance TaxNyOz films were obtained in the samples with a capacitor-like design (deposited onto high speed steel, with gold pads deposited on the dielectric TaxNyOz films). Some of these films exhibited dielectric constant values higher than those reported for other tantalum based dielectric films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 354, Part B, 1 November 2015, Pages 298-305
Journal: Applied Surface Science - Volume 354, Part B, 1 November 2015, Pages 298-305
نویسندگان
D. Cristea, A. Crisan, N. Cretu, J. Borges, C. Lopes, L. Cunha, V. Ion, M. Dinescu, N.P. Barradas, E. Alves, M. Apreutesei, D. Munteanu,