کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5349283 | 1388098 | 2018 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High quality InAsSb-based heterostructure n-i-p mid-wavelength infrared photodiode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We present the effect of interface quality on the performance of InAsSb based hetero n-i-p middle wavelength infrared (MWIR) photodiodes. By adopting heavily doping wide bandgap p- and n-type layers and inserting a thin layer between the two doped layers and the absorbing InAsSb region, the interface quality can be improved. We also employed proper fabrication processes in device fabrication to improve surface quality. It is found that the improved interface and surface quality can reduce the noise current and enhance detection performance. A detectivity of â¼1.5Â ÃÂ 109Â cmHz1/2Wâ1 can be achieved at room temperature, and it can be increased to â¼4.0Â ÃÂ 109Â cmHz1/2Wâ1 at 250Â K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 427, Part B, 1 January 2018, Pages 605-608
Journal: Applied Surface Science - Volume 427, Part B, 1 January 2018, Pages 605-608
نویسندگان
Jinchao Tong, Landobasa Y.M. Tobing, Peinan Ni, Dao Hua Zhang,