کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5349576 1503546 2017 15 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Metal ion formed conductive filaments by redox process induced nonvolatile resistive switching memories in MoS2 film
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Metal ion formed conductive filaments by redox process induced nonvolatile resistive switching memories in MoS2 film
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 426, 31 December 2017, Pages 812-816
نویسندگان
, , , , , , ,