کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5349641 | 1503644 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MoO3 trapping layers with CF4 plasma treatment in flash memory applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: MoO3 trapping layers with CF4 plasma treatment in flash memory applications MoO3 trapping layers with CF4 plasma treatment in flash memory applications](/preview/png/5349641.png)
چکیده انگلیسی
In this research, we used MoO3 with CF4 plasma treatment as charge trapping layer in metal-oxide-high-k -oxide-Si-type memory. We analyzed material properties and electrical characteristics with multiple analyses. The plasma treatment could increase the trapping density, reduce the leakage current, expand band gap, and passivate the defect to enhance the memory performance. The MoO3 charge trapping layer memory with suitable CF4 plasma treatment is promising for future nonvolatile memory applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 320, 30 November 2014, Pages 379-382
Journal: Applied Surface Science - Volume 320, 30 November 2014, Pages 379-382
نویسندگان
Chuyan Haur Kao, Hsiang Chen, Su-Zhien Chen, Chian Yu Chen, Kuang-Yu Lo, Chun Han Lin,