کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5350553 | 1503660 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxidation of GaN(0001) by low-energy ion bombardment
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Oxygen bombardment is used as the oxidation method to form an insulator on GaN substrate at room temperature. The surface of clean substrate and the Ga2O3/GaN interface are characterized in situ by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS), and low-energy electron diffraction (LEED). XPS spectra of the Ga 2p core level show a peak shift of â¼1 eV from GaO to GaN bonding, demonstrating an oxide formation of Ga2O3. Electron affinity of the clean GaN surface amounts to 3.65 eV; the electron affinity of the Ga2O3 on GaN(0001) surface is 3.7 eV. Valence band offset (VBO) of the Ga2O3/GaN interface measured using XPS and UPS is 1.15 eV. After annealing the system at 500 °C the electron affinity and the VBO decrease to the values 3.5 and 0.35 eV, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 304, 15 June 2014, Pages 20-23
Journal: Applied Surface Science - Volume 304, 15 June 2014, Pages 20-23
نویسندگان
M. Grodzicki, P. Mazur, S. Zuber, J. Brona, A. Ciszewski,