کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5350801 | 1503663 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of 4H-SiC surfaces by non-destructive techniques based on capacitance voltage measurements
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Despite the different nature of the two techniques, doping density values determined by them have excellent correlation, which indicates the reliability and accuracy of both methods. The industrial applicability of the two techniques is compared in terms of reproducibility of the results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 301, 15 May 2014, Pages 19-23
Journal: Applied Surface Science - Volume 301, 15 May 2014, Pages 19-23
نویسندگان
J. Mizsei, A. Czett,