کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5351048 | 1503570 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quantitative studies of electric field intensity on atom diffusion of Cu/Ta/Si stacks during annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Quantitative studies of electric field intensity on atom diffusion of Cu/Ta/Si stacks during annealing Quantitative studies of electric field intensity on atom diffusion of Cu/Ta/Si stacks during annealing](/preview/png/5351048.png)
چکیده انگلیسی
It has been shown that enhanced electric field intensity (0-4.0 kV/cm) has an obvious effect on accelerating atom diffusion in Cu/Ta/Si interconnect stacks at 650 °C. The theoretical deduction proves that diffusion coefficient is accelerated proportional to an acceleration factor (1 + a·αE/0.8)2. The analysis indicates that the accelerating effect is mainly attributed to the perturbation of the electric state of the defects and enhanced vacancy and dislocation densities.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 399, 31 March 2017, Pages 215-219
Journal: Applied Surface Science - Volume 399, 31 March 2017, Pages 215-219
نویسندگان
Lei Wang, Isaac Asempah, Song-Tao Dong, Pian-Pian Yin, Lei Jin,