کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5351133 | 1503649 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
XPS analysis of AlN thin films deposited by plasma enhanced atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: XPS analysis of AlN thin films deposited by plasma enhanced atomic layer deposition XPS analysis of AlN thin films deposited by plasma enhanced atomic layer deposition](/preview/png/5351133.png)
چکیده انگلیسی
- AlN films were grown using plasma-enhanced atomic layer deposition.
- The depositions were carried out at 250 °C.
- High-resolution XPS was used to analyze the films at various depths.
- Oxygen impurity was observed before and after exposure to air.
- In-depth analysis of the nature of oxygen impurity is offered.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 315, 1 October 2014, Pages 104-109
Journal: Applied Surface Science - Volume 315, 1 October 2014, Pages 104-109
نویسندگان
P. Motamedi, K. Cadien,