کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5351157 | 1503649 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Room temperature deposited p-channel amorphous Cu1âxCrxO2âδ thin film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Transparent p-type amorphous Cu1âxCrxO2âδ thin films were grown on the glass substrate by RF magnetron co-sputtering at room temperature. Structural, optical and electrical properties of these films were studied as a function of chromium content in the film. Composition of Cu1âxCrxO2âδ thin films could be varied by tuning the RF power to Cr sputtering target. Bandgap of as deposited Cu1âxCrxO2âδ thin films varies from 2.8 eV to 2.1 eV as chromium content increases in the film. The bottom gate structured TFTs fabricated using p-type Cu1âxCrxO2âδ operated in enhancement mode with an on-off ratio of 104 and field effect mobility 0.3 cm2 Vâ1 sâ1.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 315, 1 October 2014, Pages 274-278
Journal: Applied Surface Science - Volume 315, 1 October 2014, Pages 274-278
نویسندگان
K.C. Sanal, M.K. Jayaraj,