کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5351182 | 1503649 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical, electronic and optical properties of amorphous indium zinc tin oxide thin films
ترجمه فارسی عنوان
خواص الکتریکی، الکترونیک و اپتیکی فیلم های نازک اکسید روی آنزیم روی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
The electrical and optical properties of amorphous indium zinc tin oxide (a-IZTO) thin films were examined as a function of chemical composition. Effects of Sn/Zn composition ratio and In content on the electrical and optical properties of a-IZTO thin films are discussed. The electron mobility of thin film transistors with higher Sn/Zn composition ratio was dramatically improved due to a shorter zinc-zinc separation distance. The thin film transistor with the composition of In:Zn:Sn = 20:48:32 exhibits a high mobility of 30.6 cm2 Vâ1 sâ1 and a high on-off current ratio of 109.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 315, 1 October 2014, Pages 454-458
Journal: Applied Surface Science - Volume 315, 1 October 2014, Pages 454-458
نویسندگان
Yus Rama Denny, Kangil Lee, Soonjoo Seo, Suhk Kun Oh, Hee Jae Kang, Dong Seok Yang, Sung Heo, Jae Gwan Chung, Jae Cheol Lee,