کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5351243 | 1503667 | 2014 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Controlled synthesis of transition metal dichalcogenide thin films for electronic applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Controlled and scalable growth of 2D transition metal dichalcogenide thin films by vapour phase sulfurisation of predeposited metal films is demonstrated.
- These films are characterised thoroughly with assorted forms of spectroscopy and electron microscopy, evidencing their high quality.
- A simple integration scheme, based on complementary shadow masks, is proposed for the production of electronic devices from these films.
- A NH3 sensor, with a sensitivity of 400Â ppb, is demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 297, 1 April 2014, Pages 139-146
Journal: Applied Surface Science - Volume 297, 1 April 2014, Pages 139-146
نویسندگان
Riley Gatensby, Niall McEvoy, Kangho Lee, Toby Hallam, Nina C. Berner, Ehsan Rezvani, Sinéad Winters, Maria O'Brien, Georg S. Duesberg,