کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5351245 | 1503667 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Room temperature deposited transparent p-channel CuO thin film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Copper oxide thin films were grown by rf magnetron sputtering on glass substrates at room temperature varying the oxygen partial pressure. Using the XRD and XPS analytical measurements, the deposition condition for the formation of Cu2O and CuO phases were optimised. The optical band gap of the Cu2O and CuO was 2.31 and 1.41Â eV, respectively. The bottom gate structured transparent TFTs fabricated using p-type CuO active layers operated in enhancement mode with an on/off ratio of 104 and field-effect mobility of 0.01Â cm2/VÂ s.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 297, 1 April 2014, Pages 153-157
Journal: Applied Surface Science - Volume 297, 1 April 2014, Pages 153-157
نویسندگان
K.C. Sanal, L.S. Vikas, M.K. Jayaraj,