کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5351629 | 1503662 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Gas Immersion Laser Doping for superconducting nanodevices
ترجمه فارسی عنوان
دوپینگ لیزر غوطه وری گاز برای نانوذرات ابررسانایی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
دوپینگ لیزر، سیلیکون، بور، نانوساختارها، ابررسانایی، اتصالات جوزفسون،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
We have conceived and fabricated Superconductor/Normal metal/Superconductor Josephson junctions made entirely of boron doped Silicon. We have used Gas Immersion Laser Doping to fabricate SN bilayers with good ohmic interfaces and well controlled concentration and doping depth. Standard fabrication processes, optimised for silicon, were employed to nanostructure the bilayers without affecting their transport properties. The junctions thus fabricated are proximity superconducting and show well understood I-V characteristics. This research opens the road to all-silicon, non-dissipative, Josephson Field Effect Transistors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 302, 30 May 2014, Pages 209-212
Journal: Applied Surface Science - Volume 302, 30 May 2014, Pages 209-212
نویسندگان
F. Chiodi, A. Grockowiak, J.E. Duvauchelle, F. Fossard, F. Lefloch, T. Klein, C. Marcenat, D. Débarre,