کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5351640 | 1503662 | 2014 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of laser doping of silicon using different boron dopant sources
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل دوپینگ لیزر سیلیکن با استفاده از منابع دوپینگ مختلف بور
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
دوپینگ لیزر، فرستنده انتخابی، سلول های خورشیدی سیلیکون،
ترجمه چکیده
تکرار پالس در فلوئورس لیزری نسبتا پایین (انرژی آستانه) نتیجه بهترین نتایج الکتریکی را در ترکیب با آسیب لیزر محدود در بلوری سیلیکون منجر شد. همچنین، چندین لیزر نازک باعث بازتوزیع پروفیلهای دوپینگ از نظر عمق اتصال افزایش یافته است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
Pulse repetition at relatively lower laser fluences (>threshold energy) resulted in the best electrical results in combination with a limited laser induced damage in the silicon crystal. Also, multiple laser annealing resulted in redistribution of the dopant profiles in terms of enhanced junction depth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 302, 30 May 2014, Pages 268-274
Journal: Applied Surface Science - Volume 302, 30 May 2014, Pages 268-274
نویسندگان
P. Prathap, J. Bartringer, A. Slaoui,