کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5351640 1503662 2014 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of laser doping of silicon using different boron dopant sources
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل دوپینگ لیزر سیلیکن با استفاده از منابع دوپینگ مختلف بور
کلمات کلیدی
دوپینگ لیزر، فرستنده انتخابی، سلول های خورشیدی سیلیکون،
ترجمه چکیده
تکرار پالس در فلوئورس لیزری نسبتا پایین (انرژی آستانه) نتیجه بهترین نتایج الکتریکی را در ترکیب با آسیب لیزر محدود در بلوری سیلیکون منجر شد. همچنین، چندین لیزر نازک باعث بازتوزیع پروفیلهای دوپینگ از نظر عمق اتصال افزایش یافته است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش مقاله
تجزیه و تحلیل دوپینگ لیزر سیلیکن با استفاده از منابع دوپینگ مختلف بور
چکیده انگلیسی
Pulse repetition at relatively lower laser fluences (>threshold energy) resulted in the best electrical results in combination with a limited laser induced damage in the silicon crystal. Also, multiple laser annealing resulted in redistribution of the dopant profiles in terms of enhanced junction depth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 302, 30 May 2014, Pages 268-274
نویسندگان
, , ,