کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5351820 | 1503676 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The influence of different locations of sputter guns on the morphological and structural properties of Cu-In-Ga precursors and Cu(In,Ga)Se2 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
- The influence of two different locations of sputter guns on the morphological and structural properties of Cu-In-Ga precursors and Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin films was investigated.
- Voids were observed at the CIGS/SLG interface of the CIGS films.
- Ordered vacancy compound (OVC) phase were observed in the CIGS films.
- The metallic precursors deposited with the upright-location sputter gun might be more appropriate to prepare CIGS thin films than those sputtered with the titled-location gun.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 288, 1 January 2014, Pages 109-114
Journal: Applied Surface Science - Volume 288, 1 January 2014, Pages 109-114
نویسندگان
J. Wang, J. Zhu, Y.X. He,