کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5352011 | 1503565 | 2017 | 25 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strain distribution in MgxZn1-xO layers with various content of Mg grown on a-plane sapphire by plasma-assisted molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Dependence of strain distribution on Mg concentration in MgxZn1-xO layers on a-plane sapphire substrate grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy was examined. Accurate determination of lattice parameters was performed using high resolution X-ray diffraction technique. Concentration of Mg was established by Rutherford backscattering spectrometry. These results show the non-linear relationship between the lattice parameters and Mg concentration. We observe the gradual gain of strain with the increase of Mg content in MgxZn1-xO layers, in particular in c-direction. Besides epitaxial layers on a-plane sapphire are biaxially strained similar to layers on c-plane sapphire.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 404, 15 May 2017, Pages 28-33
Journal: Applied Surface Science - Volume 404, 15 May 2017, Pages 28-33
نویسندگان
A. Wierzbicka, M.A. Pietrzyk, A. Reszka, J. Dyczewski, J.M. Sajkowski, A. Kozanecki,