کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5352313 | 1388149 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Annealing temperature effect on structure and electrical properties of films formed of Ge nanoparticles in SiO2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Annealing temperature effect on structure and electrical properties of films formed of Ge nanoparticles in SiO2 Annealing temperature effect on structure and electrical properties of films formed of Ge nanoparticles in SiO2](/preview/png/5352313.png)
چکیده انگلیسی
- Films of Ge nanoparticles in SiO2 matrix were prepared by sputtering and annealing at 600-1000 °C.
- The film surface changes from a particle-like to a smooth one with the annealing temperature increase.
- Raman studies evidence Ge nanocrystals (NCs) in the films annealed at 700 °C.
- At 800 °C annealing, the strong Ge diffusion hinders Ge NCs formation.
- The transition from tunnelling to hopping mechanism by increasing the annealing temperature from 700 to 800 °C was evidenced and discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 285, Part B, 15 November 2013, Pages 175-179
Journal: Applied Surface Science - Volume 285, Part B, 15 November 2013, Pages 175-179
نویسندگان
Ionel Stavarache, Ana-Maria Lepadatu, Toma Stoica, Magdalena Lidia Ciurea,