کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5352373 | 1388149 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic transport properties in aluminum indium nitride nanorods grown by magnetron sputter epitaxy
ترجمه فارسی عنوان
خواص حمل و نقل الکترونیکی در نانومواد نوریید آلومینیوم است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نیترید اسید آلومینیوم، نانورود، عکس هدایت، مگنترون اسپکتروسکوپی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
The electronic transport properties of the wide-bandgap aluminum indium nitride (AlInN) nanorods (NRs) grown by ultrahigh-vacuum magnetron sputter epitaxy (MSE) have been studied. The conductivities of the ternary compound nanostructure locates at the value of 15 Ωâ1 cmâ1, which is respectively one and two orders of magnitude lower than the binary GaN and InN counterparts grown by chemical vapor deposition (CVD). The very shallow donor level/band with the activation energy at 11 ± 2 meV was obtained by the temperature-dependent measurement. In addition, the photoconductivity has also been investigated. The photoconductive (PC) gain of the NRs device can reach near 2400 under a low bias at 0.1 V and the light intensity at 100 W mâ2 for ultraviolet response in vacuum. The power-insensitive gain and ambience-dependent photocurrent are also observed, which is attributed to the probable surface-controlled PC mechanism in this ternary nitride nanostructure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 285, Part B, 15 November 2013, Pages 625-628
Journal: Applied Surface Science - Volume 285, Part B, 15 November 2013, Pages 625-628
نویسندگان
Ruei-San Chen, Chih-Che Tang, Ching-Lien Hsiao, Per Olof Holtz, Jens Birch,