کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5352526 1503593 2016 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Time-resolved photoluminescence for evaluating laser-induced damage during dielectric stack ablation in silicon solar cells
ترجمه فارسی عنوان
فوتولومینسانس حل شده در زمان برای ارزیابی آسیب های ناشی از لیزر در هنگام تخلیه پشته دی الکتریک در سلول های خورشیدی سیلیکون
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
Selective laser ablation of dielectric layers on crystalline silicon wafers was investigated for solar cell fabrication. Laser processing was performed on Al2O3, and bi-layers Al2O3/SiNX:H with a nanosecond UV laser at various energy densities ranging from 0.4 to 2 J cm−2. Ablation threshold was correlated to the simulated temperature at the interface between the dielectric coatings and the silicon substrate. Laser-induced damage to the silicon substrate was evaluated by time-resolved photoluminescence. The minority carrier lifetime deduced from time-resolved photoluminescence was related to the depth of the heat affected zone in the substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 374, 30 June 2016, Pages 177-182
نویسندگان
, , , , , ,