کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5353240 | 1503685 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Non-linear absorption of focused femtosecond laser pulses at 1.3 μm inside silicon: Independence on doping concentration
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Tightly focused femtosecond laser beams at 1.3-μm wavelength are used for local energy deposition inside silicon. ⺠Non-linear absorption is independent on the doping concentration of the silicon substrates. ⺠The confinement of the interaction can be maintained for thick samples by compensating for spherical aberration. ⺠The demonstrated local laser energy deposition opens a way for 3D machining inside semiconductors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 278, 1 August 2013, Pages 13-18
Journal: Applied Surface Science - Volume 278, 1 August 2013, Pages 13-18
نویسندگان
S. Leyder, D. Grojo, P. Delaporte, W. Marine, M. Sentis, O. Utéza,