کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5353344 | 1503672 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation and characterization of CuInSe2 electrodeposited thin films annealed in vacuum
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Preparation and characterization of CuInSe2 electrodeposited thin films annealed in vacuum Preparation and characterization of CuInSe2 electrodeposited thin films annealed in vacuum](/preview/png/5353344.png)
چکیده انگلیسی
From the evolution of the full width at half maximum (FWHM) of the (1 1 2) peak, we have estimated the grain size versus the annealing temperature. The results show that the grain size increases from 0.45 to 0.75 μm with the annealing temperature. The morphological, optical and electrical properties of the CIS films have been investigated respectively, by the scanning electron microscopy (SEM), UV-vis spectroscopy and I-V characteristics. The band gaps of the CIS films also shows an evolution when the temperature is varied. In fact the band gap decreases from 1.24 eV at 250 °C to 0.98 eV at 450 °C. The electrical characterization of the junction Al/CIS/FTO shows an interesting Schottky rectifying behavior.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 292, 15 February 2014, Pages 231-236
Journal: Applied Surface Science - Volume 292, 15 February 2014, Pages 231-236
نویسندگان
S. Hamrouni, Manea S. AlKhalifah, M.F. Boujmil, K. Ben Saad,