کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5353679 | 1503580 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface modification of MoS2/SiO2 leading to conversion of conduction type of MoS2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Few-layer MoS2 prepared by the chemical vapor deposition method is deposited on SiO2 samples with/without sulfide treatment in order to experimentally study the mechanism of conduction-type conversion in MoS2. The MoS2 thin film deposited on a SiO2 substrate with sulfide treatment shows n-type behavior, whereas the MoS2 thin film deposited on a SiO2 substrate without sulfide treatment exhibits p-type behavior. Experimental identification confirms that n-type conversion is due to a combined effect of the broken SiO bonds and the formation of SiS bonds at the SiO2 surface that results in the removal of oxygen dangling bonds and a change in the MoS2SiO2 interaction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 387, 30 November 2016, Pages 661-665
Journal: Applied Surface Science - Volume 387, 30 November 2016, Pages 661-665
نویسندگان
Yow-Jon Lin, Ting-Hong Su,