کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5353858 | 1503698 | 2013 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-rate and low-temperature growth of ZnO:Ga thin films by steered cathodic arc plasma evaporation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: High-rate and low-temperature growth of ZnO:Ga thin films by steered cathodic arc plasma evaporation High-rate and low-temperature growth of ZnO:Ga thin films by steered cathodic arc plasma evaporation](/preview/png/5353858.png)
چکیده انگلیسی
⸠ZnO:Ga (GZO) films are deposited on glass by steered cathodic arc plasma evaporation. ⸠GZO films are grown at a high growth rate (220 nm/min) and low temperature (120 °C). ⸠Films with low strain show low resistivity and high transparency. ⸠Droplet size is reduced when a high-melting-point GZO ceramic target is adopted. ⸠Metal-like conductivity indicates GZO films became degenerated semiconductors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 265, 15 January 2013, Pages 621-629
Journal: Applied Surface Science - Volume 265, 15 January 2013, Pages 621-629
نویسندگان
Chih-Hao Liang, Wei-Lin Wang, Weng-Sing Hwang,