کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5354000 | 1503699 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Polycrystalline silicon thin films by aluminum induced crystallization of amorphous silicon
ترجمه فارسی عنوان
فیلم های نازک سیلیکون پلی کریستال توسط بلورینگی آلومینیوم ناشی از سیلیکون آمورف
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
فیلم نازک سیلیکون پلی کریستال، کریستالیزاسیون آلومینیوم القاء شده، مدل رشد،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
⺠A new way to calculate crystalline fraction is proposed to evaluate crystallization process. ⺠Grain size of AIC polycrystalline film can be varied with temperature. ⺠AIC process is derived from region crystallization and a model was introduced, which identified previous reports.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 264, 1 January 2013, Pages 11-16
Journal: Applied Surface Science - Volume 264, 1 January 2013, Pages 11-16
نویسندگان
T. Wang, H. Yan, M. Zhang, X. Song, Q. Pan, T. He, Z. Hu, H. Jia, Y. Mai,