کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5354278 | 1503684 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of high quality Zn0.9Mg0.1O films on c-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report the growth and characterization of single-crystalline, epitaxial Zn0.9Mg0.1O films on c-plane sapphire substrates with MgO buffer layer by plasma-assisted molecular beam epitaxy. The quality of the Zn0.9Mg0.1O epilayers is evidenced by a Hall mobility of more than 60Â cm2Â Vâ1Â sâ1 at room temperature and an X-ray diffraction (XRD) rocking curve full-width at half-maximum of 47Â arcsec for the (0Â 0Â 0Â 2) reflection. A screw dislocation density of 4Â ÃÂ 106Â cmâ2 is estimated by XRD. Transmission electron microscopy revealed that the thickness of the MgO buffer layer is about 3.5Â nm, and a highly c-axis oriented Zn0.9Mg0.1O (0Â 0Â 0Â 2) reflection corresponding to the wurtzite-phase is observed. Alloying with Mg is found to widen the bandgap energy of the ZnO, and luminescence is observed at 3.502Â eV at low temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 279, 15 August 2013, Pages 212-215
Journal: Applied Surface Science - Volume 279, 15 August 2013, Pages 212-215
نویسندگان
H.H. Zhang, X.H. Pan, P. Ding, J.Y. Huang, H.P. He, W. Chen, B. Lu, J.G. Lu, S.S. Chen, Z.Z. Ye,