کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5354696 | 1503577 | 2017 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structure of Ar+ ion-sputtered thin-film MoS2: A XPS and IPES study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Polycrystalline MoS2 grown by Mo sulphurization was exposed to increasing doses of Ar+ ions at 250Â eV starting from 2.2Â ÃÂ 1015 ions/cm2 to 3.92Â ÃÂ 1017 ions/cm2. Electronic structure changes were monitored by X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Inverse Photolectron Spectroscopy (IPES). No change in the Fermi level position was observed with Ar+ dosing. Ion bombardment resulted in a new visible feature at lower binding energy in the Mo3d core level, while the S2p lineshape showed little changes. The formation of a steady state from 2.49Â ÃÂ 1017 ions/cm2 has been detected. The investigation of the occupied and unoccupied states on the steady-state surface pointed to the simultaneous presence of metallic-like Mo with amorphous MoS2-x.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 392, 15 January 2017, Pages 795-800
Journal: Applied Surface Science - Volume 392, 15 January 2017, Pages 795-800
نویسندگان
Antonino Santoni, Flaminia Rondino, Claudia Malerba, Matteo Valentini, Alberto Mittiga,