کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5354978 1503691 2013 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Laser generated Ge ions accelerated by additional electrostatic field for implantation technology
ترجمه فارسی عنوان
یون های ژن تولید شده توسط لیزر به وسیله میدان الکترواستاتیکی اضافی برای تکنولوژی لانه سازی تسریع شده است
کلمات کلیدی
ایمپلنت یون ژرمانیوم، یون های تشخیصی خواص سازه،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
► Electrostatic acceleration and deflection can enhance the quality of laser ion implantation. ► Performance of the electrostatic acceleration and deflection set-up was simulated and optimized with the Opera 3D code. ► The optimized system was tested in experiments with the ion time of flight ion measurements. ► Ion time of flight measurements confirmed the improvements due to the application of the electrostatic system. ► Results of the material research methods confirmed he improvements due to the application of the electrostatic system.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 272, 1 May 2013, Pages 109-113
نویسندگان
, , , , , , , , ,