کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355085 | 1388185 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of Ti addition in channel layers for In-Zn-O thin film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Study of Ti addition in channel layers for In-Zn-O thin film transistors Study of Ti addition in channel layers for In-Zn-O thin film transistors](/preview/png/5355085.png)
چکیده انگلیسی
⺠Thin film transistors with Ti added In-Zn-O as channel layer materials. ⺠Threshold voltage shows positive shift as Ti content increases. ⺠Positive shift is induced by suppression of oxygen vacancies in channel layer. ⺠Field effect mobility is not decreased as Ti content increases.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 4, 1 December 2011, Pages 1460-1463
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 4, 1 December 2011, Pages 1460-1463
نویسندگان
Yao Qijun, Li Shuxin, Zhang Qun,