کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355129 | 1503619 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Experimental evidence of the generation of gaseous SiO as precursor for the growth of SiOx nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The vapor-liquid-solid process is a fundamental and widely used mechanism for the growth of nanowires. In this article, experimental observations have been carried out to explain the growth mechanism of silicon-based nanowires using a solid-bulk silicon source as unique precursor. The synthesis consisted of a thermal treatment at 900 °C under an Ar-H2 atmosphere with a low residual O2 concentration. The presence of SiO in gaseous phase, originated via the active oxidation of the Si substrate, is shown as the principal factor responsible for the nanowires growth, via a process commonly termed as solid-vapor-liquid-solid.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 345, 1 August 2015, Pages 44-48
Journal: Applied Surface Science - Volume 345, 1 August 2015, Pages 44-48
نویسندگان
A. Gomez-Martinez, F. Marquez, C. Morant,